編號(hào)：CYYJ03430
篇名：提拉法下Yb:YAG單晶缺陷的正電子湮沒(méi)研究
作者：石小兔 張慶禮 孫貴花 羅建喬 竇仁勤 王小飛 高進(jìn)云 張德明 劉建黨 葉邦角
關(guān)鍵詞： 晶體缺陷 正電子湮沒(méi) YB:YAG晶體 提拉法
機(jī)構(gòu)： 中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究生院科學(xué)島分院 先進(jìn)激光技術(shù)安徽省實(shí)驗(yàn)室 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)核探測(cè)與核電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
摘要： 為滿足固體激光器的應(yīng)用需求,研究人員不斷改進(jìn)YAG激光晶體生長(zhǎng)技術(shù),其中控制YAG中的缺陷結(jié)構(gòu)對(duì)于晶體的生長(zhǎng)尤為重要,。本工作對(duì)提拉法兩種工藝制備的晶體樣品進(jìn)行了缺陷研究,特別是晶體散射點(diǎn)的起源。正電子湮沒(méi)技術(shù)是一種對(duì)材料微觀結(jié)構(gòu)十分靈敏且有效的核物理技術(shù)分析表征手段,對(duì)空位缺陷,、微孔等極為敏感。根據(jù)正電子湮沒(méi)壽命譜與多普勒展寬譜的分析結(jié)果,無(wú)論工藝,、有無(wú)散射點(diǎn),樣品的正電子壽命及多普勒展寬線性參數(shù)均存在差異,。這說(shuō)明晶體主要缺陷是YAG結(jié)構(gòu)中的本征缺陷,散射點(diǎn)可能是空位團(tuán)聚引起的納米微孔,研究表明該技術(shù)可以靈敏地表征YAG晶體散射點(diǎn)。正電子湮沒(méi)實(shí)驗(yàn)反映的晶體單晶質(zhì)量差異與X射線衍射,、單晶搖擺曲線,、光透過(guò)率以及位錯(cuò)密度結(jié)果吻合,。在研究晶體的物理性能和缺陷與材料微結(jié)構(gòu)的關(guān)系上正電子湮沒(méi)技術(shù)具有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì),同時(shí)正電子湮沒(méi)技術(shù)可以在微觀尺度上有效反映晶體質(zhì)量,。
