編號：CYYJ03429
篇名：6英寸高純半絕緣4H-SiC單晶電阻率均勻性
作者：樊元東 毛開禮 戴鑫 魏汝省 李天 李斌
關(guān)鍵詞： 高純半絕緣 碳化硅單晶 有限元仿真 電阻率均勻性
機構(gòu)： 中國電子科技集團公司第十三研究所 山西爍科晶體有限公司
摘要： GaN射頻器件在通信基建上的大幅應(yīng)用,推進了6英寸高純半絕緣4H-SiC單晶的產(chǎn)業(yè)化需求,。隨著晶體直徑增大,6英寸高純半絕緣4H-SiC單晶存在易開裂,、電阻率分布不勻的問題。利用有限元仿真設(shè)計,優(yōu)化了熱場分布,降低了晶體內(nèi)熱應(yīng)力聚集,減少了晶體開裂,。采用SIMS,、拉曼光譜等手段分析了影響6英寸4H-SiC單晶內(nèi)電阻率分布不均勻的因素,發(fā)現(xiàn)主要原因為正向SiC晶體小面生長機制導致N元素分布不均。采用分區(qū)高能粒子輻照處理工藝,進行分區(qū)深能級點缺陷調(diào)控,電阻率可控制在1011Ω·cm以上,可將片內(nèi)和片間電阻率最大值與最小值的比值控制在1個量級內(nèi),大幅提升電阻率均勻性,。
