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C/C-SiC-ZrB2-ZrC復合材料在等離子體高頻脈沖達2000次過程中的燒蝕特性

編號:CYYJ03402

篇名:C/C-SiC-ZrB2-ZrC復合材料在等離子體高頻脈沖達2000次過程中的燒蝕特性

作者:馮薇 張妍 劉磊 李博巖 張佳平 陳曦 何子博 唐成偉 張海軍 韓秦鑫

關鍵詞: 往復燒蝕 脈沖燒蝕 C/C復合材料 SiC-ZrB2-ZrC 循環(huán)次數(shù)

機構: 西安工業(yè)大學材料與化工學院 西北工業(yè)大學凝固技術國家重點實驗室 西安稀有金屬材料研究院有限公司

摘要: 研究等離子體單次毫秒級加載條件下C/C-SiC-ZrB2-ZrC復合材料在不同次數(shù)高頻脈沖過程中的燒蝕行為與機理,。燒蝕試驗在自研臺架上進行,測試過程中等離體子體-空氣射流交替沖擊試樣表面,。結果表明,隨沖擊次數(shù)增加,前1000次內燒蝕率迅速下降,隨后在達2000次過程中燒蝕率緩慢降低。微結構,、物相及燒蝕表面溫度特征說明燒蝕試樣表面形成一層不完整的混合陶瓷燒蝕產(chǎn)物層,且裸露的碳含量在1000次沖擊燒蝕以后趨于穩(wěn)定,。燒蝕產(chǎn)物層削弱了熱應力誘發(fā)的機械剝蝕并保護其亞層的碳不被侵蝕,進而導致燒蝕率的演變。

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