編號：NMJS08669
篇名：掩膜電解微坑陣列對鈦合金表面疏水性能的影響
作者：張宏偉 孟建兵 周海安 董小娟 李麗 曲凌輝
關(guān)鍵詞： 掩膜電解 表面織構(gòu) 微坑陣列 鈦合金 疏水性能
機構(gòu)： 山東理工大學(xué)機械工程學(xué)院
摘要： 為了提高鈦合金表面的疏水性能,采用潤濕理論模型與多物理場耦合仿真相結(jié)合的方法,建立接觸角與掩膜電解加工工藝參數(shù)之間的直接映射關(guān)系,揭示微坑陣列掩膜電解加工對表面疏水性能的作用,。建立接觸角與微坑陣列幾何尺寸間的表面疏水理論模型,對掩膜電解加工進(jìn)行多物理場耦合仿真;理論模型與仿真結(jié)果相結(jié)合,獲得了接觸角與掩膜電解加工工藝參數(shù)之間的直接映射關(guān)系,。此外,以表面接觸角為因變量,以電解質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù),、掩膜尺寸和電解電壓為自變量,進(jìn)行正交試驗仿真和計算,獲得了最佳工藝參數(shù)組合并進(jìn)行試驗驗證,。與仿真計算相比,試驗測量得到的微坑陣列直徑,、間距、深度,、表面接觸角誤差分別為2.49%,、6.87%,、7.40%,、6.01%,從而表明該方法在未經(jīng)低表面能材料修飾的情況下,成功制備接觸角約為141°的微坑陣列疏水表面,。
