編號(hào)：CYYJ03104
篇名：顆粒級(jí)配對(duì)Si3N4w/Si3N4復(fù)合材料彎曲強(qiáng)度與介電性能的影響
作者：崔雪峰 許澤水 姚遠(yuǎn)洋 李明星 葉昉 成來(lái)飛
關(guān)鍵詞： 噴霧造粒 二級(jí)孔隙 Si3N4w預(yù)制體 顆粒級(jí)配 Si3N4w/Si3N4復(fù)合材料
機(jī)構(gòu)： 西北工業(yè)大學(xué)超高溫結(jié)構(gòu)復(fù)合材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
摘要： 為了獲得一種彎曲和介電性能良好的氮化物陶瓷材料,本工作首先以氮化硅晶須(Si3N4w)為原料,采用噴霧造粒工藝制備3種具有不同粒徑分布的Si3N4w球形顆粒粉體,研究霧化盤(pán)轉(zhuǎn)速對(duì)Si3N4w球形顆粒粉體粒徑分布的影響,。然后以噴霧造粒得到的Si3N4w球形顆粒為原料,采用干壓法制備3種顆粒級(jí)配的Si3N4w預(yù)制體,研究顆粒級(jí)配Si3N4w預(yù)制體的孔徑分布,。采用化學(xué)氣相滲透(CVI)和先驅(qū)體浸漬裂解(PIP)工藝在3種顆粒級(jí)配的Si3N4w預(yù)制體中進(jìn)一步制備Si3N4基體,研究Si3N4w/Si3N4復(fù)合材料制備過(guò)程中的物相和微結(jié)構(gòu)演變以及顆粒級(jí)配對(duì)Si3N4w/Si3N4復(fù)合材料的微結(jié)構(gòu),、密度,、彎曲強(qiáng)度和介電性能的影響。結(jié)果表明:3種顆粒級(jí)配的Si3N4w預(yù)制體均具有二級(jí)孔隙特征,其中小孔孔徑均約為0.7μm,大孔孔徑分別為45.2,30.1μm和21.3μm,。在制備的3種顆粒級(jí)配的Si3N4w/Si3N4復(fù)合材料中,S13樣品的顆粒級(jí)配效果最好,復(fù)合材料的彎曲強(qiáng)度達(dá)到81.59 MPa,。此外,該樣品的介電常數(shù)和介電損耗分別為5.08和0.018。良好的彎曲強(qiáng)度和介電性能表明制備的Si3N4w/Si3N4復(fù)合材料有望應(yīng)用于導(dǎo)彈天線(xiàn)罩領(lǐng)域,。
