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納米ZnO薄膜的熱蒸發(fā)法制備及其光電特性研究

編號(hào):NMJS00587

篇名:納米ZnO薄膜的熱蒸發(fā)法制備及其光電特性研究

作者:樓曹鑫; 馬錫英; 黃仕華; 王麗偉;

關(guān)鍵詞:熱蒸發(fā)法; ZnO薄膜; 光致發(fā)光; SEM;

機(jī)構(gòu): 浙江師范大學(xué)數(shù)理信息學(xué)院; 紹興文理學(xué)院光電材料研究所;

摘要: 以醋酸鋅為原料,、O/Ar的混合氣體為攜載氣體,在500℃的溫度下應(yīng)用熱蒸發(fā)法在p型Si基片上生長(zhǎng)納米ZnO薄膜,并研究了其形貌,、結(jié)構(gòu)和光電特性,。X-射線(XRD)衍射結(jié)果顯示所制備ZnO納米晶體呈六角纖鋅礦結(jié)構(gòu);掃描電子顯微鏡(SEM)觀察發(fā)現(xiàn)生長(zhǎng)的ZnO薄膜平整均勻,納米晶體顆粒平均尺寸為25nm,。應(yīng)用紫外-可見光吸收譜分析了其吸收特性,發(fā)現(xiàn)該ZnO薄膜在紫外波段具有很強(qiáng)的吸收,其吸收邊位于320nm處,。由于量子限制效應(yīng),與體材料相比,該吸收邊存在明顯的藍(lán)移。應(yīng)用光致發(fā)光譜(PL)研究了其發(fā)光特性,發(fā)現(xiàn)該ZnO薄膜在近紫外以及藍(lán)-綠光波段具有強(qiáng)烈的受激發(fā)射。最后,還研究了ZnO薄膜的電容-電壓(C-V)特性。

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