編號(hào)：NMJS00584
篇名：鈦合金陽(yáng)極氧化法制備自組裝納米多孔結(jié)構(gòu)薄膜的研究
作者：張文彥; 李廣忠; 奚正平; 張健; 湯慧萍; 遲煜頔; 汪強(qiáng)兵;
關(guān)鍵詞：鈦合金; 陽(yáng)極氧化; TiO2; 納米多孔; 陣列薄膜;
機(jī)構(gòu)： 中南大學(xué)粉末冶金國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 西北有色金屬研究院金屬多孔材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
摘要： 以TLM鈦合金為陽(yáng)極氧化的基片,通過(guò)改變陽(yáng)極氧化電壓,、鈦合金相結(jié)構(gòu),找到制備納米多孔陣列的參數(shù),通過(guò)條件試驗(yàn)發(fā)現(xiàn),在恒電壓小于30V時(shí),通過(guò)時(shí)效處理的TLM鈦合金表面可以制備得到TiO2納米多孔結(jié)構(gòu)薄膜。
