編號：CYYJ02831
篇名：摻雜(硅,、鍺,、錫)單壁碳納米管的第一性原理研究
作者：盧學(xué)峰 王寬 崔志紅
關(guān)鍵詞： 單壁碳納米管 第一性原理 摻雜 電子結(jié)構(gòu) 光學(xué)性能
機構(gòu)： 蘭州理工大學(xué)省部共建有色金屬先進加工與再利用國家重點實驗室 蘭州理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
摘要： 使用第一性原理研究了純(5,5)單壁碳納米管(SWCNTs)和摻雜(Si,Ge,Sn)SWCNTs的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。研究發(fā)現(xiàn),與其他體系的帶隙值相比,Sn摻雜體系的帶隙值最小,為0.034 eV,該體系顯示出了良好的半導(dǎo)體性能,。差分電荷密度圖顯示摻雜后原子周圍的局域性降低,說明碳原子與摻雜原子之間的鍵強度減弱。布居值分析表明Sn原子與C原子成鍵的共價性最弱。在吸收光譜中,摻雜體系的峰值均略有減小,并出現(xiàn)藍(lán)移現(xiàn)象,。此外,與未摻雜體系相比,Sn摻雜體系的吸收譜與反射譜峰值明顯減小,這可允許更多的光通過涂層然后被太陽能電池吸收,使其作為增透膜材料在太陽能電池領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。
