編號：CYYJ02827
篇名：激光退火硅晶圓溫度場分布的數(shù)值模擬研究
作者：劉敏 鄭柳 何志 王文武
關(guān)鍵詞： 激光退火 硅晶圓 溫場分布 加熱深度 最優(yōu)波長與脈寬 最小溫升
機構(gòu)： 中國科學(xué)院微電子研究所
摘要： 目前,激光退火技術(shù)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體加工領(lǐng)域,但對如何選擇激光條件進行相應(yīng)的退火并沒有系統(tǒng)清晰的準(zhǔn)則可以參考,尤其是在硅的深注入雜質(zhì)激活方面,。本文通過對激光照射在硅晶圓上形成的溫度場分布進行數(shù)值模擬研究,分析了激光波長和脈沖寬度對加熱深度以及晶圓背面溫度的影響,。結(jié)果表明,延長激光波長或脈沖寬度,都有助于增加激光退火的加熱深度,。而對于特定的激活深度需求,存在著最優(yōu)的激光波長和脈沖寬度組合,可以使退火所需要的激光脈沖能量最低,硅晶圓背面的溫升最小。本文通過模擬仿真給出了激活深度在1~10μm范圍內(nèi)的最優(yōu)波長和脈寬值,可為實現(xiàn)高效的深硅注入激光激活工藝提供重要的條件參考,。
