編號：CYYJ02806
篇名：Cu2+離子A位取代對MgTiO3陶瓷結構及介電性能的影響
作者：楊習志 楊帆 賴元明 李寶陽 王凡碩 蘇樺
關鍵詞： 微波介電陶瓷 結構 介電性能
機構： 成都理工大學機電工程學院 電子科技大學
摘要： 采用固相反應制備了Mg1-xCuxTiO3(0.00≤x≤0.20)微波介電陶瓷,研究CuO燒結助劑對MgTiO3陶瓷的微觀結構和微波介電性能的影響,。實驗結果表明,CuO中的Cu2+離子會進入到MgTiO3晶格中并取代Mg2+,形成Mg1-xCuxTiO3固溶體,。由于液相效應,適量的CuO可以促進MgTiO3陶瓷的致密化燒結,降低其燒結溫度。Cu2+離子的A位取代會改變樣品的TiO6八面體扭曲度,。隨著Cu2+離子含量的增加,會使MgTiO3陶瓷的結構穩(wěn)定性降低,。隨著CuO含量的增加,晶粒的不均勻生長和液相的出現(xiàn)導致樣品的品質(zhì)因數(shù)(Qf)下降。同時,Mg1-xCuxTiO3陶瓷的相對密度,、結構穩(wěn)定性和平均共價度的降低也會惡化陶瓷的Qf值,。樣品的介電常數(shù)(εr)與離子極化率,、雜相和TiO6八面體扭曲度相關,。樣品的諧振頻率溫度系數(shù)(τf)隨TiO6八面體扭曲度的增加而減小。當x=0.08時,樣品可在1150℃實現(xiàn)致密化燒結,且τf值改善至-3.4×10-5℃-1,。
