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輻射改性介孔SiO2及其對錸的吸附性能

編號:CYYJ02659

篇名:輻射改性介孔SiO2及其對錸的吸附性能

作者:沈旺來 陳怡志 張鵬 吳志豪 翁漢欽 林銘章

關鍵詞: 多層介孔SiO2 輻射接枝 季銨化改性 吸附 锝(錸)

機構: 中國科學技術大學核科學技術學院

摘要: 利用60Coγ輻射接枝合成了聚4-乙烯基吡啶(4-VP)改性的多層次介孔SiO2(FS-VP)微球,并對接枝后的FS-VP進行了季銨化,。采用傅里葉變換紅外光譜,、X射線光電子能譜和熱重分析方法研究了接枝率的影響因素和季銨化微球(FS-VPQ)對Re(Ⅶ)的吸附性能。結果表明:在4-VP單體體積分數(shù)為50%、吸收劑量為72 kGy,、劑量率為3 kGy/h的條件下,FS-VP的接枝率極大值為27.8%;當pH為2和3時,吸附容量極大值為68.0 mg/g,較高的吸附容量得益于多層次孔結構的高比表面積和季銨化后吸附劑固有的兩個正電荷;FS-VPQ對Re(Ⅶ)的吸附等溫線符合Langmuir模型;此外,由于多層次孔結構帶來的高傳質(zhì)速率使FS-VPQ能夠在3 min內(nèi)快速達到吸附平衡。本工作對Re(Ⅶ)分離與富集以及放射性廢液中Tc處理具有參考價值,。

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