編號(hào)：CYYJ01673
篇名：攪拌作用下鋁熔體流場(chǎng)分布及SiC顆粒分散過程數(shù)值模擬
作者：王澤政 常慶明 洪守坤 陳笛
關(guān)鍵詞： 鋁熔體 流場(chǎng)分布 SIC 顆粒分散 攪拌 流場(chǎng)速度 數(shù)值模擬
機(jī)構(gòu)： 武漢科技大學(xué)材料與冶金學(xué)院 武漢科技大學(xué)省部共建耐火材料與冶金國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
摘要： 基于fluent軟件,采用VOF和DPM模型對(duì)在攪拌作用下SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料中鋁熔體的流場(chǎng)分布和SiC顆粒在流場(chǎng)內(nèi)部的空間分布過程進(jìn)行數(shù)值模擬,分析攪拌過程中流場(chǎng)速度和葉片浸入深度對(duì)SiC顆粒在鋁熔體中分散的影響。結(jié)果表明,容器中流場(chǎng)的最大速度分布在槳片葉端,隨著攪拌槳轉(zhuǎn)速增加,流場(chǎng)中徑向方向和軸向方向的速度均不斷增大,隨著葉片浸入深度的增加,靠近容器底部和側(cè)壁的流場(chǎng)速度逐漸增大,較大的流場(chǎng)速度有利于SiC顆粒在鋁熔體中的分散;當(dāng)葉片浸入深度一定時(shí),自由液面的漩渦高度和深度隨攪拌槳轉(zhuǎn)速的加快而增加,當(dāng)漩渦底部到達(dá)攪拌槳上端時(shí),SiC顆粒開始進(jìn)入流場(chǎng)內(nèi)部擴(kuò)散,在流場(chǎng)內(nèi)上、下渦流的帶動(dòng)下實(shí)現(xiàn)均勻分散,。
