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改性鈦酸鋇/聚間苯二甲酰間苯二胺復(fù)合薄膜的制備與介電性能

編號:FTJS08889

篇名:改性鈦酸鋇/聚間苯二甲酰間苯二胺復(fù)合薄膜的制備與介電性能

作者:胡靜文 段廣宇 胡祖明 于俊榮 王彥 諸靜

關(guān)鍵詞: 介電復(fù)合材料 聚間苯二甲酰間苯二胺 鈦酸鋇 介電性能 熱穩(wěn)定性

機構(gòu): 東華大學纖維材料改性國家重點實驗室

摘要: 通過在鈦酸鋇納米顆粒表面羥基化處理后用十八烷基異氰酸酯進行化學接枝改性,然后將改性后的鈦酸鋇納米粒子加入到聚間苯二甲酰間苯二胺(PMIA)漿液中,采用刮涂法制得耐高溫的高性能PMIA介電復(fù)合薄膜。通過紅外研究了復(fù)合粒子表面官能團變化;通過熱重研究復(fù)合薄膜和復(fù)合粒子的熱穩(wěn)定性;利用X射線光電子能譜分析材料的元素成分和相關(guān)的化學鍵種類,表明十八烷基異氰酸酯成功地接枝到納米鈦酸鋇表面;通過掃描電鏡研究了復(fù)合薄膜的斷面形貌,表明經(jīng)過改性后的納米鈦酸鋇改善了其與PMIA基體的相容性;通過寬頻介電阻抗譜儀研究不同條件下復(fù)合薄膜的介電性能變化。結(jié)果表明,當改性鈦酸鋇納米粒子質(zhì)量分數(shù)為15%時,復(fù)合薄膜的介電常數(shù)是純PMIA膜的5.4倍,同時保持了較低的介電損耗;同時,當溫度到達120℃時,復(fù)合薄膜依然保持了良好的介電性能,能滿足高溫環(huán)境的應(yīng)用要求,。

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