編號(hào)：CYYJ01737
篇名：摻鎵單晶硅太陽(yáng)電池和組件的光致衰減性能研究
作者：連維飛 沈鴻烈 張樹(shù)德
關(guān)鍵詞： 摻鎵單晶硅 太陽(yáng)電池 太陽(yáng)電池組件 光致衰減 空焊 CTM值
機(jī)構(gòu)： 南京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院 蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司研發(fā)部
摘要： 分別使用摻鎵和常規(guī)摻硼單晶硅片制備了太陽(yáng)電池與組件,對(duì)電池進(jìn)行了光照和空焊處理,再采用Halm電池電性能測(cè)試儀測(cè)試了兩種單晶硅太陽(yáng)電池和組件在光照和空焊實(shí)驗(yàn)前后的光電性能,。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在相同光照條件下,采用摻鎵單晶硅片所制太陽(yáng)電池的光衰率比用摻硼單晶硅片的低0.91%,。空焊后的摻鎵單晶硅太陽(yáng)電池各項(xiàng)光電性能參數(shù)的一致性沒(méi)有出現(xiàn)明顯變化,這有利于減少太陽(yáng)電池之間的失配損失。還發(fā)現(xiàn)摻鎵單晶硅太陽(yáng)電池組件的CTM(cell to module)值高于摻硼單晶硅太陽(yáng)電池組件的CTM值,�,？傊�,摻鎵單晶硅太陽(yáng)電池能更好地抑制光致衰減效應(yīng),并減小串焊工藝對(duì)太陽(yáng)電池光電性能的影響,獲得更高的太陽(yáng)電池組件功率,。
