編號：NMJS00478
篇名：一維二氧化硅納米材料紫外吸收光譜理論研究
作者：許瑩; 徐燦;
關鍵詞：SiO2納米材料; 紫外吸收光譜; 羥基; 含時密度泛函;
機構： 中國民航大學基礎實驗中心; 蘭州大學物理科學與技術學院;
摘要： 運用含時密度泛函B3LYP方法6-31G(d)基組水平上,計算了二氧化硅一維納米材料單鏈(1NL),、雙鏈(2NL)以及含羥基單鏈(1NLW),、雙鏈(2NLW)與尺寸相關的電子吸收光譜,并從電子結構和態(tài)密度角度對其進行分析。無羥基結構的紫外吸收光譜較強峰的頻率隨尺寸減小紅移,含羥基結構隨尺寸減小明顯藍移,。分析表明羥基上的H與Si相互作用使分子未占據(jù)軌道能量明顯升高,造成結構吸收光譜隨尺寸變小藍移,羥基的加成可以改變二氧化硅納米結構的光學性質(zhì),。紫外吸收光譜研究以及對羥基作用的確定對SiO2納米材料的深入研究具有指導意義,。
