局部碳酸鈣沉積對N80碳鋼腐蝕行為的影響

編號：JCHY00781

篇名：局部碳酸鈣沉積對N80碳鋼腐蝕行為的影響

作者：尹澤斌 鐘顯康 扈俊穎

關(guān)鍵詞： 碳鋼 結(jié)垢 碳酸鈣 局部沉積 電化學(xué)腐蝕 局部腐蝕

機(jī)構(gòu)： 西南石油大學(xué)石油與天然氣工程學(xué)院 西南石油大學(xué)油氣藏地質(zhì)及開發(fā)工程國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

摘要： 目的研究局部碳酸鈣沉積對N80碳鋼腐蝕行為的影響,為解決碳酸鈣沉積引發(fā)的腐蝕問題提供新思路。方法采用恒電位陰極極化法誘導(dǎo)碳酸鈣沉積,。采用電化學(xué)阻抗譜,、絲束電極、掃描電鏡和能譜儀對N80碳鋼的均勻腐蝕,、局部腐蝕,、電偶腐蝕、微觀形貌和化學(xué)組成進(jìn)行表征,揭示局部碳酸鈣沉積對N80碳鋼腐蝕行為的影響規(guī)律,。結(jié)果碳酸鈣沉積會使電極的腐蝕電位正移約100m V,。相同條件下,碳酸鈣覆蓋電極的容抗弧直徑遠(yuǎn)大于裸電極。隨著浸泡時(shí)間的延長,裸電極的容抗弧直徑不斷增大,而碳酸鈣覆蓋電極的容抗弧先增大后減小,。電偶測試中,碳酸鈣覆蓋電極作為陰極,裸電極作為陽極,在168 h內(nèi),二者沒有發(fā)生極性反轉(zhuǎn),電偶電流密度最終穩(wěn)定在–0.4μA/cm2左右,。WBE結(jié)果顯示,浸泡開始時(shí),碳酸鈣覆蓋區(qū)域的電位較高且均為陰極電流,24 h后,該區(qū)域逐漸出現(xiàn)陽極點(diǎn)。浸泡72 h后,電位最負(fù)的位置開始向碳酸鈣覆蓋區(qū)域轉(zhuǎn)移,。微觀分析結(jié)果表明,碳酸鈣覆蓋電極表面有一層完整且致密的腐蝕產(chǎn)物膜,可能對基體起到了一定的保護(hù)作用,。去除腐蝕產(chǎn)物后,基體存在明顯的點(diǎn)蝕坑。結(jié)論局部沉積的碳酸鈣雖然對基體有一定的保護(hù)作用,但會導(dǎo)致電偶腐蝕的發(fā)生,。隨著浸泡時(shí)間的延長,覆蓋碳酸鈣的區(qū)域會由于氧濃差電池和酸化自催化效應(yīng)發(fā)生局部腐蝕,。