編號：NMJS07970
篇名：電催化金屬輔助化學(xué)刻蝕法制備硅納米線/多孔硅復(fù)合結(jié)構(gòu)
作者：陳力馳 王耀功 王文江 麻曉琴 楊靜遠(yuǎn) 張小寧
關(guān)鍵詞： 電化學(xué) 金屬輔助化學(xué)刻蝕法 硅納米線 多孔硅 場發(fā)射
機(jī)構(gòu)： 西安交通大學(xué)電子物理與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 西安交通大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院 生態(tài)環(huán)境部核與輻射安全中心
摘要： 量子限制效應(yīng)使硅納米線具有良好的場致發(fā)射特性,結(jié)合多孔硅的準(zhǔn)彈道電子漂移模型可提高場發(fā)射器件的性能,。傳統(tǒng)的金屬輔助化學(xué)刻蝕法制備硅納米線的效率較低,本研究在傳統(tǒng)方法的基礎(chǔ)上引入恒流源,提出電催化金屬輔助化學(xué)刻蝕法,高效制備了硅納米線/多孔硅復(fù)合結(jié)構(gòu),。在外加30 mA恒定電流的條件下,硅納米線的平均制備速率可達(dá)308 nm/min,較傳統(tǒng)方法提升了173%。研究了AgNO3濃度、刻蝕時(shí)間和刻蝕電流對復(fù)合結(jié)構(gòu)形貌的影響規(guī)律;測試了采用電催化金屬輔助化學(xué)刻蝕法制備樣品的場發(fā)射特性,。結(jié)果顯示樣品的閾值場強(qiáng)為10.83 V/μm,當(dāng)場強(qiáng)為14.16 V/μm時(shí),電流密度為64μA/cm2。
