編號：NMJS00436
篇名：激發(fā)頻率對高氫稀釋下納米晶硅薄膜生長特性的影響
作者：宋捷; 郭艷青; 王祥; 丁宏林; 黃銳;
關鍵詞：等離子體增強化學氣相沉積; 高氫稀釋; 納米晶硅;
機構： 韓山師范學院物理與電子工程系;
摘要： 利用等離子體增強化學氣相沉積技術,在高氫稀釋條件下,研究不同激發(fā)頻率對納米晶硅薄膜生長特性的影響.剖面透射電子顯微鏡(TEM)分析結果顯示,不同激發(fā)頻率下制備的納米晶硅薄膜晶化區(qū)均呈錐狀結構生長,但13.56MHz激發(fā)頻率下制備的納米晶硅薄膜最初生長階段存在非晶態(tài)孵化層,即納米晶硅薄膜的形成經(jīng)歷了由非晶態(tài)孵化層到晶態(tài)結構層的轉變.而高激發(fā)頻率(40.68MHz)下硅納米晶則能直接在非晶態(tài)襯底上生長形成.Raman譜和紅外吸收譜測量結果表明高激發(fā)頻率(40.68MHz)下制備的納米晶硅薄膜不但具有較高的晶化率,而且具有較低的氫含量和較小的微結構因子。
