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具有熒光特性的硅量子點合成及在鐵離子檢測中應用

編號:CYYJ02392

篇名:具有熒光特性的硅量子點合成及在鐵離子檢測中應用

作者:余佩林 陳磊 劉軍 陳華林 丁克毅 李賀

關鍵詞: 硅量子點 鐵離子檢測 熒光淬滅

機構: 西南民族大學化學與環(huán)境學院 成都信息工程大學光電工程學院

摘要: 設計了一種新型的高熒光硅量子點(Silicon quantum dots,Si QDs)的合成方法,并嘗試探索其制備機理以及在三價鐵離子(Fe3+)檢測中的應用.與傳統的還原法制備硅量子點相比,3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)在硫酸的作用下能夠得到具有高熒光、低尺寸特性的硅量子點.結果表明該硅量子點的最佳激發(fā)波長和對應發(fā)射波長分別為305 nm和384 nm.在水溶液中,Si QDs和Fe3+通過配位作用使得硅量子點發(fā)生明顯聚集誘導淬滅現象(aggregation caused quenching ACQ),該方法能在2.5μM~250μM的范圍內實現對Fe3+的靈敏檢測,檢出限為670 nM.

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