編號：FTJS08263
篇名：高Sc含量ScAlN薄膜的制備與表征
作者：楊數強 王軍強 張超 陳宇昕 尚正國
關鍵詞： 薄膜 磁控濺射 氮化鋁鈧 半高全寬 d33壓電常數
機構： 洛陽師范學院物理與電子信息學院 北京衛(wèi)星環(huán)境工程研究所 重慶大學光電工程學院
摘要： 本文利用優(yōu)化的種子層結構和工藝參數,以AlSc合金靶為靶源,以脈沖直流反應磁控濺射AlSc合金靶的方式在室溫下制備了ScAlN薄膜,同時設計并制作了壓電測試專用結構,解決了ScAlN腐蝕工藝不成熟的問題,結合X射線衍射儀,、掃描電鏡,、能譜儀、準靜態(tài)d33分析儀,、納米壓痕法等方法表征了薄膜的結晶質量,、組成成分和機電耦合系數等性能。由表征結果可知,所制備的Sc0.35Al0.65N薄膜具有高度c軸擇優(yōu)取向,搖擺曲線的半高寬低至2.167°,同時結晶致密,有少量貝殼狀凸起,。薄膜的壓電常數d33為-23.4 pC/N,機電耦合系數k332和kt2分別為34.6%和25.7%,具有制備FBAR等高性能壓電MEMS器件的潛力,。
