編號：CYYJ02338
篇名：氮化硼納米片改性環(huán)氧樹脂導熱與介電性能的研究
作者：張曉星 胡國雄 伍云健 唐炬
關(guān)鍵詞： 氮化硼納米片 環(huán)氧樹脂 導熱性能 介電性能 熱刺激電流
機構(gòu)： 武漢大學電氣與自動化學院
摘要： 越來越高的電熱密度以及電力設(shè)備小型化的趨勢需要電力設(shè)備的絕緣材料具備更好的導熱性能,。針對傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂(epoxy,EP)導熱率過低的缺陷,通過剝離六方氮化硼的方法制備了氮化硼納米片(boron nitride nanosheet,BNNS),將其作為填料摻入環(huán)氧樹脂得到了復合材料(EP–BN),。測試結(jié)果證明,BNNS能有效改善環(huán)氧樹脂的導熱性能,其摻雜體積分數(shù)為25%的EP–BN導熱率相對于EP提升了528%,。通過測量材料的介電譜發(fā)現(xiàn),BNNS加入后,EP–BN的相對介電常數(shù)和介電損耗均增大,但兩者漲幅并不大;同時,兩者均隨著溫度的升高而增加。分析材料的熱刺激電流獲得其陷阱參數(shù),發(fā)現(xiàn)由于BNNS的存在,EP–BN的陷阱深度變淺,從而降低了極化電荷產(chǎn)生所需要的能量,表現(xiàn)為相對介電常數(shù)和介電損耗增加,。溫度的變化對材料的陷阱深度幾乎無影響,但溫度的升高促進了陷阱電荷量的產(chǎn)生,表現(xiàn)為材料相對介電常數(shù)和介電損耗的增大。
