編號(hào)：CYYJ02333
篇名：氮化鎵/硅復(fù)雜界面結(jié)構(gòu)異質(zhì)結(jié)的光伏效應(yīng)
作者：李新建 王志華 段丙新 程燕 汪朝陽(yáng) 尹書(shū)亭 宋冬琦
關(guān)鍵詞： 光伏效應(yīng) 高開(kāi)路電壓 異質(zhì)結(jié) 氮化鎵/硅納米孔柱陣列
機(jī)構(gòu)： 鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院 材料物理教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
摘要： 采用寬帶隙半導(dǎo)體材料或減小p-n結(jié)漏電流密度是增加開(kāi)路電壓以提高太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的重要途徑,。氮化鎵(GaN)是一種具有直接帶隙的寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料,并已在光電器件領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,。以通過(guò)水熱腐蝕制備的、具有優(yōu)異寬波段光吸收性能的硅納米孔柱陣列(Si-NPA)為功能性襯底,采用化學(xué)氣相沉積法制備了一種具有復(fù)雜界面結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)GaN/Si-NPA,并以此為基礎(chǔ)制備了器件結(jié)構(gòu)為ITO/GaN/Si-NPA/sc-Si/Ag的太陽(yáng)能電池原理性器件,。在AM 1.5的模擬太陽(yáng)光照射下,電池的開(kāi)路電壓達(dá)到1.94 V,短路電流密度0.07 mA/cm2,填充因子73%,電池光電轉(zhuǎn)換效率0.1%,。對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的分析表明,電池效率較低的原因是較大電池串聯(lián)電阻導(dǎo)致了較小短路電流密度。本研究為制備具有更高開(kāi)路電壓的高效太陽(yáng)能電池提供了一種可能的新途徑,。.
