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硅通孔拋光液的研究進展

編號:CYYJ02312

篇名:硅通孔拋光液的研究進展

作者:鄭晴平 王如 吳彤熙

關(guān)鍵詞: 硅通孔(TSV) 化學(xué)機械拋光(CMP) 拋光液 拋光速率 拋光質(zhì)量

機構(gòu): 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院 河北工業(yè)大學(xué)微電子技術(shù)與材料研究所

摘要: 硅通孔(TSV)技術(shù)是一種先進的封裝技術(shù),化學(xué)機械拋光(CMP)是集成電路TSV制作過程中的重要步驟之一,是可兼顧材料表面局部和全局平坦化的技術(shù),。拋光液是影響拋光表面質(zhì)量和加工效率的關(guān)鍵因素,是CMP工藝中消耗品成本最大的部分。TSV拋光液主要包括銅膜拋光液和阻擋層拋光液,依據(jù)拋光速率和拋光質(zhì)量(表面粗糙度,、碟形坑修正等)的要求對其進行了分類討論,概述了近年來TSV拋光液的研究進展,對其今后的研究重點和發(fā)展趨勢進行了分析和預(yù)測,認為TSV拋光液應(yīng)朝著拋光速率和拋光質(zhì)量的優(yōu)化,、低成本、環(huán)境友好的方向發(fā)展,。

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