編號：FTJS07999
篇名：退火條件對氮摻雜二氧化鈦薄膜性能的影響
作者：楊勇 姚婷婷 李剛 金克武 王天齊 馬立云
關(guān)鍵詞： 退火條件 紫外可見光分光光度計 X射線光電子能譜儀 薄膜性能 氮摻雜二氧化鈦 射頻磁控濺射技術(shù) 玻璃基底 真空退火
機構(gòu)： 中建材蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計研究院 浮法玻璃新技術(shù)國家重點實驗室
摘要： 利用射頻磁控濺射技術(shù),在室溫下用TiO2陶瓷靶在玻璃基底上制備N摻雜TiO2薄膜,。利用X射線衍射,、掃描電子顯微鏡,、X射線光電子能譜儀和紫外可見光分光光度計研究了不同退火條件對薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光學性能的影響,。實驗結(jié)果表明:真空退火后的薄膜結(jié)晶性能均較差,隨著退火溫度的升高,薄膜表面的缺陷增加,薄膜內(nèi)部的N含量均減少,禁帶寬度從2.83eV增加到3.21eV;常壓條件下退火,薄膜的結(jié)晶性變優(yōu),晶粒變大,薄膜內(nèi)部N含量減少,禁帶寬度增加到2.93eV。
