Ar氣流量對石墨表面CVD TaC涂層生長與表面形貌的影響

編號：FTJS00899

篇名：Ar氣流量對石墨表面CVD TaC涂層生長與表面形貌的影響

作者：張帆; 李國棟; 熊翔; 陳招科;

關鍵詞：TaC; 化學氣相沉積; 稀釋氣體流量; 擇優(yōu)取向;

機構： 中南大學粉末冶金國家重點實驗室;

摘要： 用C3H6作為碳源氣,Ar作為稀釋氣體和載氣,TaCl5為鉭源,采用化學氣相沉積法(chemical vapor deposition,CVD)在高純石墨表面制備TaC涂層,。采用X射線衍射(XRD)和掃描電鏡(SEM)等對涂層進行表征,研究1 000℃下稀釋氣體(Ar)流量對TaC涂層成分,、織構及表面形貌的影響,。結果表明:隨著稀釋氣體流量增大,表面均勻性和光滑度提高,晶粒尺寸減小,晶體擇優(yōu)取向降低,沉積速率減小,涂層中C含量增多,。當稀釋氣體流量為100 mL/min時,TaC涂層晶粒尺寸與沉積速率分別為32.5 nm和0.60μm/h;而當稀釋氣體流量增大到600 mL/min時,涂層晶粒尺寸與沉積速率分別下降到21 nm和0.25μm/h,。