納米SiO_2的均勻分散及其對MC尼龍6晶型結(jié)構(gòu)及晶型轉(zhuǎn)變的影響

編號：NMJS00285

篇名：納米SiO_2的均勻分散及其對MC尼龍6晶型結(jié)構(gòu)及晶型轉(zhuǎn)變的影響

作者：蔡力鋒; 林志勇;

關(guān)鍵詞：納米二氧化硅; MC尼龍6; 晶型結(jié)構(gòu); 晶型轉(zhuǎn)變;

機(jī)構(gòu)： 莆田學(xué)院環(huán)境與生命科學(xué)學(xué)院; 華僑大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;

摘要： 通過陰離子開環(huán)聚合法制備納米二氧化硅(Si O2)/MC尼龍6原位復(fù)合材料,采用透射電子顯微鏡(TEM)對納米粒子在基體中的分散行為進(jìn)行表征,結(jié)果表明Si O2約以30～70nm左右的尺寸均勻分散在基體中,。廣角X射線衍射(WAXD)結(jié)果表明,純MC尼龍6及其原位復(fù)合材料均呈現(xiàn)典型尼龍6的α晶型衍射峰,納米Si O2的引入在MC尼龍6結(jié)晶過程中削弱了大分子鏈在c軸的取向,。液氮淬冷樣品經(jīng)退火處理后的WAXD結(jié)果表明,納米Si O2和MC尼龍6之間的相互作用阻礙了大分子鏈段的運(yùn)動(dòng),從而使得γ晶型向α晶型的轉(zhuǎn)變速率降低。