編號(hào)：NMJS07170
篇名：石墨烯/藍(lán)寶石基底上無應(yīng)力AlN的快速生長
作者：唐智勇
關(guān)鍵詞： ALN 藍(lán)寶石 石墨烯
機(jī)構(gòu)： 國家納米科學(xué)中心
摘要： 以氮化物為代表的第三代半導(dǎo)體材料,在發(fā)光二極管1,2,、激光二極管3、紫外輻射源4、高頻功率電子學(xué)5,6等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景,。目前,制備第三代半導(dǎo)體材料的常用方法是金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法,常用的襯底主要包括藍(lán)寶石,、硅,、碳化硅等,。但是,在材料異質(zhì)外延過程中,襯底與半導(dǎo)體薄膜之間較大的晶格失配和熱失配會(huì)導(dǎo)致材料中應(yīng)力的積累以及缺陷密度的升高。除此之外,在材料島狀拼接生長過程中,在拼接界面處會(huì)引入大量的缺陷結(jié)構(gòu)7,。
