編號(hào)：NMJS07144
篇名：表面改性對(duì)膨脹石墨電容性能的影響
作者：向震 范寶安 史東輝 張俊波 吳子健
關(guān)鍵詞： 膨脹石墨 超級(jí)電容器 比電容 表面改性
機(jī)構(gòu)： 武漢科技大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院 煤轉(zhuǎn)化與新型碳材料湖北省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 冶金礦產(chǎn)資源高效利用與造塊湖北省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
摘要： 以膨脹石墨作為電容材料,研究了表面修飾和蝕刻對(duì)其電容行為的影響,。采用恒流充放電、循環(huán)伏安等手段對(duì)其電性能進(jìn)行了測(cè)試,采用紅外光譜對(duì)其表面化學(xué)基團(tuán)進(jìn)行了表征,。結(jié)果表明:膨脹石墨經(jīng)H2O2表面修飾后,比電容由1.94F/g提高至5.05F/g,紅外光譜分析表明處理后膨脹石墨表面產(chǎn)生了大量的羰基和羥基等含氧基團(tuán);經(jīng)KOH蝕刻后,表面沒有出現(xiàn)新的化學(xué)基團(tuán),但其表面被活化,更容易與H2O2發(fā)生化學(xué)反應(yīng),使得表面含氧官能團(tuán)密度增大,故蝕刻后的膨脹石墨再經(jīng)H2O2處理,其比電容由4.54F/g提高至15.90F/g,但電位窗口閾值由1.0V下降至0.4V,。
