編號(hào)：NMJS07018
篇名：Ar等離子體處理對(duì)GaAs納米線(xiàn)發(fā)光特性的影響
作者：高美 李浩林 王登魁 王新偉 方鉉 房丹 唐吉龍 王曉華 魏志鵬
關(guān)鍵詞： 光譜學(xué) GaAs納米線(xiàn) Ar等離子體處理 光致發(fā)光 缺陷 偏壓功率
機(jī)構(gòu)： 長(zhǎng)春理工大學(xué)高功率半導(dǎo)體激光國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 長(zhǎng)春理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
摘要： 采用Ar等離子體處理GaAs納米線(xiàn),通過(guò)光致發(fā)光測(cè)試研究了等離子體偏壓功率對(duì)GaAs納米線(xiàn)發(fā)光性能的影響,。在不同測(cè)試溫度和不同激發(fā)功率密度下,研究了發(fā)光光譜各個(gè)發(fā)光峰的來(lái)源和機(jī)制,。研究結(jié)果表明:隨著功率增加,GaAs自由激子發(fā)光逐漸消失,束縛激子發(fā)光強(qiáng)度先減小后增大;當(dāng)功率增加到200 W時(shí),出現(xiàn)施主-受主對(duì)(DAP)發(fā)光。通過(guò)對(duì)比不同樣品在283℃下的發(fā)光光譜,得到了等離子體處理過(guò)程中GaAs納米線(xiàn)的結(jié)構(gòu)變化:當(dāng)處理功率較小時(shí),Ar等離子體在消除表面態(tài)的同時(shí)將空位缺陷引入GaAs中;當(dāng)處理功率較大時(shí),GaAs的晶體結(jié)構(gòu)遭到破壞,形成施主類(lèi)型的缺陷,出現(xiàn)DAP發(fā)光,。
