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單晶γ-TiAl合金納米切削過(guò)程的分子動(dòng)力學(xué)模擬

編號(hào):FTJS07192

篇名:單晶γ-TiAl合金納米切削過(guò)程的分子動(dòng)力學(xué)模擬

作者:馮瑞成 喬海洋 朱宗孝 李海燕 閆峰 宋文淵

關(guān)鍵詞: 單晶γ-TiAl合金 納米切削 分子動(dòng)力學(xué) 位錯(cuò)

機(jī)構(gòu): 蘭州理工大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院 數(shù)字制造技術(shù)與應(yīng)用省部共建教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

摘要: 采用分子動(dòng)力學(xué)方法研究單晶γ-TiAl合金納米切削過(guò)程,通過(guò)對(duì)單晶γ-TiAl合金的建模、計(jì)算和分析,討論了不同切削深度和切削速度對(duì)切削過(guò)程的影響,結(jié)果發(fā)現(xiàn):在切削過(guò)程中,隨著切削深度的增大,切屑體積逐漸增大,切屑中原子排列越來(lái)越緊密,位錯(cuò)密度也會(huì)隨之增大;但隨著切削速度的增大,位錯(cuò)密度反而會(huì)隨之降低。在一定的切削深度和切削速度范圍內(nèi),切削過(guò)程中刀具前方都會(huì)產(chǎn)生“V”型位錯(cuò)環(huán),工件的溫度和勢(shì)能也都會(huì)相應(yīng)的增大,。特別是,當(dāng)切削速度為400 m/s時(shí),刀具前方的切削表面上未出現(xiàn)原子錯(cuò)排,。

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