編號：CPJS06285
篇名：沉積電壓對納米多孔氧化錳膜電容性能的影響
作者：方華 孟凡騰 張林森 閆繼 張世超
關(guān)鍵詞： 二氧化錳 電化學(xué)沉積法 納米棒陣列 超級電容器
機(jī)構(gòu)： 鄭州輕工業(yè)大學(xué)材料與化學(xué)工程學(xué)院 北京航空航天大學(xué)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
摘要： 采用陽極電化學(xué)沉積法在鎳片上沉積納米多孔氧化錳膜,。利用XRD和SEM對氧化錳膜進(jìn)行物性分析,利用線性伏安掃描,、循環(huán)伏安和恒流充放電法進(jìn)行電化學(xué)電容性能測試。研究表明在0.5V(vs.SCE)沉積的氧化錳膜呈現(xiàn)出納米多孔的納米花形貌,當(dāng)沉積電壓增加時,氧化錳納米片的顆粒的尺寸會變小,逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)橛裳趸i納米纖維構(gòu)成的納米多孔膜;所制備的氧化錳膜均為非晶相。電化學(xué)測試表明所制備的氧化錳膜電極具有較好的電容性能,其中在0.5V(vs.SCE)沉積的氧化錳膜比電容最高,在0.3mA/cm^2的充放電電流密度下高達(dá)189F/g,電流密度增加到10mA/cm^2時比電容為83F/g,。
