編號：NMJS06928
篇名：TiO2納米管刻蝕生長機理及其光電性能
作者：孫瓊 游迪 臧韜 吳松浩 洪永 董立峰
關(guān)鍵詞： TIO2納米管 刻蝕 生長機理 光電性能
機構(gòu)： 青島科技大學材料科學與工程學院 福州大學能源與環(huán)境光催化國家重點實驗室
摘要： 采用鹽酸將有序排列的TiO2納米棒刻蝕成納米管,并推測了生長機理�,？涛g過程中,凹陷沿棒生長方向自上而下由內(nèi)而外產(chǎn)生,最終形成管式結(jié)構(gòu),。大量納米線圍繞成具有方形空心截面的納米管,高溫下將完全分裂。TiO2納米管的光電轉(zhuǎn)換效率遠高于納米棒,最高值(3.26%)出現(xiàn)在140℃刻蝕溫度,。納米管比表面積增加和長度縮短分別對光電性能起到正反兩方面作用,。此外,煅燒導致納米管斷裂和聚集,光生載流子定向轉(zhuǎn)移的難度增加,光電轉(zhuǎn)換效率降低。
