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泡沫石墨基復合相變材料儲熱過程的數(shù)值研究

編號:CPJS06078

篇名:泡沫石墨基復合相變材料儲熱過程的數(shù)值研究

作者:賈艾蘭 邢玉明

關鍵詞: 電子器件 泡沫石墨 數(shù)值仿真 相變溫控技術

機構: 北京航空航天大學航空科學與工程學院

摘要: 采用數(shù)值仿真的方法,對填充單一相變材料(石蠟,、Cerrolow-136合金(49%Bi-21%In-18%Pb-12%Sn))和泡沫石墨基復合相變材料的相變溫控裝置PTCC(Phase change thermal control component)的儲熱性能進行研究,對比分析兩類溫控裝置對電子發(fā)熱元件表面溫度的控制效果,。結果表明:在芯片功率為25 W,、工作時長30 min條件下,含泡沫石墨基復合相變材料的PTCC對芯片表面的溫度控制比含有單一相變材料的控制溫度更低,并且對于芯片到達溫度上限(75℃)的控制時間也有所延長,。泡沫石墨材料的應用提高了相變材料的儲熱性能,同時也滿足了電子設備的溫控要求。

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