編號：NMJS06748
篇名：藍(lán)寶石襯底上化學(xué)氣相沉積法生長石墨烯
作者：劉慶彬 蔚翠 何澤召 王晶晶 李佳 蘆偉立 馮志紅
關(guān)鍵詞： 石墨烯 藍(lán)寶石 化學(xué)氣相沉積法 生長溫度 刻蝕機(jī)理
機(jī)構(gòu)： 河北半導(dǎo)體研究所
摘要： 化學(xué)氣相沉積（CVD）法是制備大面積,、高質(zhì)量石墨烯材料的主要方法之一,但存在襯底轉(zhuǎn)移和碳固溶等問題,本文選用藍(lán)寶石襯底彌補(bǔ)了傳統(tǒng)CVD法的不足,。利用CVD法在藍(lán)寶石襯底上生長石墨烯材料,研究生長溫度對石墨烯表面形貌和晶體質(zhì)量的影響。原子力顯微鏡（AFM）,、光學(xué)顯微鏡（OM）,、拉曼光譜和霍爾測試表明,低溫生長有利于保持材料表面的平整度,高溫生長有利于提高材料的晶體質(zhì)量,。研究氫氣和碳源對藍(lán)寶石襯底表面刻蝕作用機(jī)理,發(fā)現(xiàn)氫氣對藍(lán)寶石襯底有刻蝕作用,而單純的碳源不能對襯底產(chǎn)生刻蝕效果。在1200℃下,直徑為50 mm的晶圓級襯底上獲得平整度和質(zhì)量相對較好的石墨烯材料,室溫下載流子遷移超過1000 cm^2·V^-1·s^-1,。
