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CdTe對ZnO棒狀納米材料的電子調(diào)控研究

編號:NMJS06551

篇名:CdTe對ZnO棒狀納米材料的電子調(diào)控研究

作者:華佩[1] ;曾子彥[1] ;洪昕林[1,2]

關(guān)鍵詞: ZNO CDTE 納米材料 異質(zhì)結(jié) 電子密度

機構(gòu): [1]武漢大學化學與分子科學學院,武漢420072; [2]武漢大學蘇州研究院,蘇州215123

摘要: 氧化鋅(ZnO)納米材料由于獨特的光學,、電學,、磁學等性能具有廣泛的應用前景,而半導體的摻雜則能有效地調(diào)控ZnO的電子結(jié)構(gòu),。在ZnO棒狀納米材料的合成過程中摻雜適量的碲化鎘(CdTe)成功地合成了核殼結(jié)構(gòu)的CdTe/ZnO異質(zhì)結(jié),X射線粉末衍射(XRD)和透射電子顯微鏡(TEM)都證明了CdTe的成功包裹,而這一成功包裹減少了CdTe中毒性Cd^2+的暴露,。同時,電子順磁共振(EPR),、紫外可見漫反射(DRS),、熒光發(fā)光(FL)等一系列測試結(jié)果表明,與純ZnO棒狀納米材料相比,CdTe的摻雜有效地調(diào)控了ZnO的電子結(jié)構(gòu)使得ZnO棒狀納米材料的電子密度增大,。

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