編號：NMJS06521
篇名：原位熱硫化法制備Cu3SnS4納米薄膜及其光學(xué)性質(zhì)
作者：崔占奎[1,2] ;周軍強[2] ;白永順[2]
關(guān)鍵詞： 銅錫硫 納米薄膜 化學(xué)水浴法 原位熱硫化 光學(xué)性質(zhì)
機構(gòu)： [1]許昌學(xué)院表面微納米材料研究所微納米能量儲存與轉(zhuǎn)換材料河南省重點實驗室,許昌461000; [2]許昌學(xué)院新材料與能源學(xué)院,許昌461000
摘要： 采用化學(xué)水浴法（CBD）制備了Cu3Sn納米薄膜,通過原位熱硫化法制備了Cu3SnS4納米薄膜,。分別采用X射線衍射儀（XRD）,、掃描電子顯微鏡（SEM）與X射線能譜儀（EDS）分析了樣品的組成、結(jié)構(gòu)與形貌,。采用紫外-可見分光光度計（UV-Vis）測試了Cu3SnS4樣品的光學(xué)性質(zhì),。結(jié)果表明,樣品物相純凈,、形貌均一,Cu3Sn納米薄膜由球形納米顆粒組成,Cu3SnS4納米薄膜由片狀納米顆粒組成,Cu3SnS4薄膜樣品在紫外-可見光區(qū)有良好的吸收性質(zhì),其光學(xué)帶隙為1.70eV,適合作為太陽能電池吸收層。
