編號：NMJS06495
篇名：不同濃度氮氣對于MPCVD法生長納米金剛石薄膜的影響
作者：王小安[1] ;汪建華[1,2] ;孫祁[1] ;黃平[1]
關(guān)鍵詞： 微波等離子體 化學(xué)氣相沉積 納米金剛石 氮氣
機構(gòu)： [1]武漢工程大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點實驗室,湖北武漢430074; [2]中國科學(xué)院等離子體物理研究所,安徽合肥230031
摘要： 采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積法,，以N2／H2／CH4為氣源，通過改變反應(yīng)氣氛中的Nz濃度（10％～30％）制備了金剛石薄膜,。采用掃描電子顯微鏡,、拉曼光譜儀、x射線衍射儀等設(shè)備對金剛石薄膜的表面形貌,、晶粒尺寸以及薄膜質(zhì)量進行了分析,，研究了不同濃度氮氣對于沉積金剛石薄膜的影響，結(jié)果表明：當(dāng)?shù)獨鉂舛鹊陀?0％時,，沉積的金剛石薄膜晶粒尺寸變化不明顯,，表面平整度較好,，氮氣濃度達到30％時，金剛石晶粒增大,，缺陷增加,；隨著氮氣濃度增加，薄膜中金剛石相含量下降,，同時,，金剛石趨向于（111）面優(yōu)先生長。
