編號：NMJS06478
篇名：氣相沉積法一步可控合成氧化銅納米陣列
作者：姚允賀 ;丁蕊 ;張晶
關(guān)鍵詞： 氧化銅納米線陣列 氣相沉積 可控合成
機構(gòu)： 哈爾濱師范大學(xué)
摘要： 利用氣相沉積的方法于銅基片表面可控生長形成氧化銅納米陣列,通過控制反應(yīng)溫度及反應(yīng)時間,得出不同生長密度,、不同長度及不同直徑的氧化銅納米陣列,研究了該種方法所依據(jù)的實驗條件對生長形成氧化銅納米陣列的生長密度,、平均長度以及平均直徑的制約關(guān)系.結(jié)果表明：溫度越高,則氧化銅納米陣列生長越密且平均直徑越小;反應(yīng)時間越長,則氧化銅納米陣列平均長度越大.在此基礎(chǔ)上分析了該納米陣列的生長機制,并最終確立實現(xiàn)不同規(guī)格銅基氧化銅納米陣列可控合成的依據(jù).作為對比,該氧化銅納米陣列進行硫化處理后所形成的特殊云杉式分級結(jié)構(gòu)相比于硫化銅片直接在銅的表面所生長形成的硫化亞銅陣列更有利于與電解液的接觸,為其在電化學(xué)上的應(yīng)用創(chuàng)造了可能.
