編號(hào)：CPJS05553
篇名：納米TATB中雜質(zhì)結(jié)構(gòu)與形成機(jī)理
作者：王彥群[1] ;王軍[2] ;黃輝勝[3] ;譙志強(qiáng)[2] ;李瑞[2] ;沈金鵬[2] ;楊光成[2]
關(guān)鍵詞： 納米TATB 雜質(zhì) 質(zhì)子化合物 機(jī)理
機(jī)構(gòu)： [1]西南科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,四川綿陽(yáng)621010; [2]中國(guó)工程物理研究院化工材料研究所,四川綿陽(yáng)621999; [3]長(zhǎng)江師范學(xué)院無(wú)機(jī)特種功能材料實(shí)驗(yàn)室,重慶408100
摘要： 納米TATB是一種高能鈍感炸藥，在其制備過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生一些雜質(zhì),。采用液態(tài)13^CNMR,、X射線光電子能譜和理論模擬方法研究了可能雜質(zhì)的結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明,，這種雜質(zhì)是TATB分子的質(zhì)子化合物,，命名為1，3,，5-三氨基-2,，4，6-三硝基-2，5-環(huán)己二烯硫酸氫鹽,。依據(jù)量子化學(xué)方法,，這種雜質(zhì)可能的形成機(jī)理是在溶解過(guò)程中，TATB分子被濃硫酸中的H原子質(zhì)子化,。
