編號：NMJS06376
篇名：不同薄膜厚度下的DNA分子通過固態(tài)納米孔的相對堵塞電流機(jī)理
作者：伍根生[1] ;章寅[2] ;司偉[2] ;顧云風(fēng)[1] ;陳云飛[2]
關(guān)鍵詞： 納米孔 基因測序 相對堵塞電流 薄膜厚度
機(jī)構(gòu)： [1]南京林業(yè)大學(xué)機(jī)械電子工程學(xué)院,南京210037; [2]東南大學(xué)江蘇省微納生物醫(yī)療器械設(shè)計(jì)與制造重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京211189
摘要： 通過改變固態(tài)納米孔薄膜厚度,揭示了A-DNA在電場作用下通過納米孔時(shí)堵塞離子電流的作用機(jī) 理.納米孔的電導(dǎo)主要由孔內(nèi)電阻和孔口電阻構(gòu)成,當(dāng)納米孔長度逐漸減小到與原子層厚度相等時(shí),電導(dǎo)主 要由孔口電阻主導(dǎo).根據(jù)已有的納米孔孔口電阻模型,推導(dǎo)出一個簡化的DNA分子堵塞納米孔的相對離子 電流模型,定量地描述了納米孔薄膜厚度與相對堵塞電流大小之間的關(guān)系.結(jié)果表明,相對堵塞電流隨著納 米孔直徑的減小而增加,但隨著納米孔厚度的減小而減小.為提高相對堵塞電流,提出了一種二級結(jié)構(gòu),該 結(jié)構(gòu)設(shè)置了一個更小的納米孔孔口電阻區(qū)域.實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,該結(jié)構(gòu)使相對堵塞電流提高了21. 9% .
