自蔓延高溫合成制備單相氮化硅鎂粉體

編號：FTJS00699

篇名：自蔓延高溫合成制備單相氮化硅鎂粉體

作者：楊建輝; 陳義祥; 劉光華; 李江濤;

關(guān)鍵詞：自蔓延高溫合成; 氮化硅鎂; 稀釋劑;

機(jī)構(gòu)： 中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所; 中國科學(xué)院研究生院;

摘要： 通過自蔓延高溫合成技術(shù)制備了以MgSiN2為主相的粉體,然后利用酸洗工藝除去雜質(zhì)得到單相MgSiN2粉體。研究了原料配比,、稀釋劑MgSiN2的添加量和N2壓力對燃燒合成產(chǎn)物相組成的影響,并探討了酸洗條件對洗除MgO雜質(zhì)的影響。研究結(jié)果表明,以化學(xué)計(jì)量比配制的原料,難以通過自蔓延高溫合成法直接合成單相的MgSiN2粉體;在原料中使Mg粉過量,并對自蔓延高溫合成產(chǎn)物進(jìn)行酸洗處理,是制備單相MgSiN2粉體的一種簡單,、實(shí)用的有效方法。