編號(hào)：CPJS05472
篇名：氫化碳化硅（SixC（1-x）：H）薄膜發(fā)光特性和納米線發(fā)光增強(qiáng)研究
作者：程英 ;余忠衛(wèi) ;魏曉旭 ;楊華峰 ;郭丹 ;王軍轉(zhuǎn) ;余林蔚 ;施毅
關(guān)鍵詞： 氫化碳化硅薄膜 光致發(fā)光 納米線
機(jī)構(gòu)： 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院,、光電子材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京210093
摘要： 氫化碳化硅薄膜作為一種寬帶隙的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)越的物理特性,其在光電子器件上的潛在應(yīng)用引起了人們的興趣,。利用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)制備了一系列氫化碳化硅薄膜,通過改變反應(yīng)前驅(qū)物及流量比調(diào)節(jié)薄膜的室溫光致發(fā)光性質(zhì),。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在一定范圍內(nèi)隨著流量比R（CH4/SiH4）的提高,氫化碳化硅薄膜的光致發(fā)光峰位藍(lán)移且發(fā)光強(qiáng)度增強(qiáng);同時(shí)反應(yīng)前驅(qū)物中的氫會(huì)極大影響氫化碳化硅薄膜的發(fā)光強(qiáng)度,。通過橢偏儀（Ellipsometer）測(cè)量了薄膜的光學(xué)常數(shù),發(fā)現(xiàn)薄膜沉積速率隨著流量比R的增加而降低;傅里葉紅外光譜儀（FTIR）測(cè)試表明Si-C有序度隨著流量比的增加而增大,。同時(shí)研究了三維納米線結(jié)構(gòu)對(duì)多態(tài)碳化硅薄膜發(fā)光性質(zhì)的影響,。光致發(fā)光測(cè)試結(jié)果表明三維納米線結(jié)構(gòu)可以有效提高薄膜的光致發(fā)光強(qiáng)度,。
