編號：CPJS05446
篇名：CdSe/CdS納米顆粒共敏化ZnO光電極的制備及光電化學性能研究
作者：毛永強[1,2] ;王繼仁[2] ;李娜[1]
關(guān)鍵詞： ZNO納米線陣列 電沉積法 CdS/CdSe納米顆粒共敏化 光電化學性能
機構(gòu)： [1]遼寧工程技術(shù)大學理學院,阜新123000; [2]礦山熱動力災(zāi)害與防治教育部重點實驗室,遼寧工程技術(shù)大學安全科學與工程學院,阜新123000
摘要： 采用電沉積法將CdS和CdSe納米顆粒沉積在ZnO納米線陣列上得到CdSe/CdS納米顆粒共敏化ZnO光電極,。利用X射線衍射,、掃描電鏡、透射電鏡和能譜儀等對所得樣品結(jié)構(gòu)和形貌進行表征,并通過紫外-可見分光光度計和電化學工作站測試其光吸收性能和光電化學性能,。結(jié)果發(fā)現(xiàn),相對納米顆粒單敏化CdS/ZnO光電極而言,納米顆粒共敏化CdSe/CdS/ZnO光電極具有更好的可見光吸收性能,進而提高短路電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率分別到9.56mA/cm^2和1.89%,。
