編號：NMJS06265
篇名：電化學沉積錳修飾TiO2納米管陣列的正交試驗研究
作者：熊中平 ;司玉軍 ;李敏嬌 ;馮具平
關(guān)鍵詞： TiO2 納米管陣列 錳修飾 電化學沉積 光電響應(yīng)
機構(gòu)： 綠色催化四川省高校重點實驗室,四川理工學院化學與制藥工程學院,四川自貢643000
摘要： 用陽極氧化法在鈦片表面制備空白TiO2納米管陣列,用電化學陰極還原法在其表面沉積錳,通過正交試驗考察沉積條件對錳修飾TiO2納米管陣列光電響應(yīng)的影響,。結(jié)果表明,錳的表面修飾可以增強TiO2納米管陣列對可見光的響應(yīng),在0.5 V（vs.SCE）的偏電壓下,光電流顯著增大。沉積時間和沉積電壓是影響錳沉積的主要因素,錳沉積的最佳條件為：沉積時間30s,、電壓-2V,、錳離子濃度10 mmol/L。
