編號：NMJS06227
篇名：基于宏觀金屬輔助化學刻蝕制備硅納米線的研究（英文）
作者：劉琳[1,2] ;李志勝[1] ;胡慧東[1] ;宋維力[3]
關鍵詞：半導體 微結構 電化學 硅納米線 金屬刻蝕
機構： [1]華北電力大學可再生能源學院新能源電力系統(tǒng)國家重點實驗室,北京102206; [2]北京師范大學能量轉換與存儲材料北京市重點實驗室,北京100875; [3]北京科技大學新材料技術研究院,北京10
摘要： 分別利用鍍銀的硅襯底和鉑絲電極作為原電池反應中的陰極和陽極,基于金屬輔助化學刻蝕采用宏觀原電池的方法制備硅納米線,深入研究了該法制備硅納米線陣列的機理,。通過改變電連接、鍍銀,、刻蝕參數(shù),、硅襯底和光照等實驗條件,系統(tǒng)地研究了所得硅納米線形貌與其對應短路電流的關系,實驗發(fā)現(xiàn)短路電流與硅納米線長度有一定的對應關系,。文章中所提出的模型旨在從根本上解決金屬輔助化學刻蝕制備硅納米線的機理,。最后對這種方法所具有的潛在應用價值進行了展望和討論。
