編號(hào)：FTJS06737
篇名：陽(yáng)極氧化條件對(duì)雙通型TiO2納米管陣列薄膜形成的影響
作者：李麗 ;張凱 ;李華亮 ;吳麗 ;馮軍 ;張海寧
關(guān)鍵詞：二氧化鈦 納米管 陣列薄膜 自支撐 陽(yáng)極氧化
機(jī)構(gòu)： 廣東電網(wǎng)有限責(zé)任公司電力科學(xué)研究院;武漢理工大學(xué)材料復(fù)合新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
摘要： 采用陽(yáng)極氧化技術(shù)制備了雙通型自支撐二氧化鈦納米管陣列薄膜,并研究了陽(yáng)極氧化條件對(duì)所形成的陣列薄膜的厚度以及形貌的影響,。結(jié)果表明,反應(yīng)溫度和陽(yáng)極電壓對(duì)所制備的陣列薄膜的表面形貌以及納米管的生長(zhǎng)速度有較大影響;而所生成的陣列薄膜的厚度隨陽(yáng)極氧化時(shí)間的增加而增加,。在陽(yáng)極氧化過(guò)程中,最終階段的快速升高電壓是形成雙通型陣列薄膜的關(guān)鍵因素,。
