編號：NMJS06157
篇名：銀納米線的側向生長及其抑制研究
作者：彭勇宜[1] ;徐國鈞[1] ;周劍飛[2] ;代國章[1] ;王云[1] ;李宏建[1]
關鍵詞：多元醇法 銀納米線 側向生長 抑制
機構： [1]中南大學物理與電子學院,湖南長沙410083; [2]新鼎盛電子科技有限公司,湖南城步422500
摘要： 采用多元醇法,在不同溫度,不同PVP滴加速度和加入量的條件下合成了銀納米線,。利用XRD,UV-Vis,SEM和TEM對銀納米線及其側向生長過程進行了觀察和分析,。UV-Vis表明銀納米線在縱向生長的同時發(fā)生了側向生長。而且表示銀納米線側向生長的紫外吸收光譜峰在銀納米線合成后期發(fā)生了明顯的紅移,由384nm紅移至約388nm處,表明銀納米線合成后期直徑迅速增長,銀納米線發(fā)生了快速的側向生長,。SEM研究表明銀納米線直徑在反應前期（15～23min）只增加了20nm,而在反應后期（23～30min）銀納米線直徑增加了近150nm,SEM觀察結果與UV-Vis分析結論一致,。同時還發(fā)現(xiàn)銀納米線直徑不僅與晶種大小有關而且與銀線外覆蓋的銀層厚度有關,銀源以吸附在銀線側面的小銀顆粒為附著點沿其側面多點沉積導致了銀納米線的側向生長;降低反應液溫度（165℃降至155℃）,降低PVP滴加速度（67mL·h^-1減小到49mL·h^-1）以及減少銀納米線合成后期PVP加入量可抑制銀納米線的側向生長,顯著提高銀納米線長徑比,銀納米線直徑由200nm減小至100nm左右,長度仍保持在100μm以上,。
