編號：CPJS05188
篇名：Cu2ZnSnS4納米片的兩步法制備及其光學(xué)性能
作者：毛永強[1] ;胡美娜[1] ;李娜[1] ;李博君[2] ;毛晶[2]
關(guān)鍵詞：Cu2ZnSnS4 納米片 光學(xué)性能 禁帶寬度 形成機理
機構(gòu)： [1]遼寧工程技術(shù)大學(xué)理學(xué)院,阜新123000; [2]天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,天津市材料復(fù)合與功能化重點實驗室,天津300072
摘要： 先后利用化學(xué)氣相沉積法和液相離子交換法，在FTO導(dǎo)電玻璃基底上兩步法制備Cu2ZnSnS4（CZTS）納米片,，并通過X射線衍射儀（XRD）,、拉曼光譜儀（Raman）、掃描電鏡（SEM）,、透射電鏡（TEM）,、X射線能譜（EDS）和紫外．可見吸收光譜儀（UV—vis）等表征手段對所得樣品的物相結(jié)構(gòu)、微觀形貌,、化學(xué)組分及光學(xué)性能進(jìn)行測試分析,。研究結(jié)果表明，所得樣品為四方晶型CZTS納米片,，對可見光具有良好的全波段吸收,，經(jīng)計算其禁帶寬度約1．51eV。此外,，對CZTS納米片的形成機理進(jìn)行初步探討,。
