編號：FTJS06686
篇名：碳納米管場發(fā)射測試方法對其性能的影響
作者：孫繼偉[3] ;賈琨[1] ;賈愛珍[3] ;呂德濤[1] ;許曉麗[1] ;郭峰[1] ;趙亞麗[1,2]
關(guān)鍵詞：碳納米管 場發(fā)射 測試次數(shù) 陰陽極距離
機構(gòu)： [1]電磁防護技術(shù)山西省重點實驗室,山西太原030006; [2]山西大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院,山西太原030006; [3]中國電子科技集團第三十三研究所電磁防護與器件事業(yè)部,山西太原030006
摘要： 采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)在金屬基片上制備碳納米管列陣薄膜,應(yīng)用二極管結(jié)構(gòu)對其場發(fā)射性能進行測試,并分析影響碳納米管陰極場發(fā)射性能的因素,。結(jié)果表明,隨著測試次數(shù)的增加,碳納米管陰極場發(fā)射性能會有一定程度的提高,同時場發(fā)射性能的穩(wěn)定性增加;陰陽極距離15μm時,碳納米管具有最好的場發(fā)射性能,。
