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納米SiO2/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料局部放電和導(dǎo)熱特性研究

編號(hào):CPJS05105

篇名:納米SiO2/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料局部放電和導(dǎo)熱特性研究

作者:王詩(shī)成[1] ;王福春[3] ;楊國(guó)清[1,2] ;王德意[1,2] ;馮媛媛[1]

關(guān)鍵詞:納米SIO2 環(huán)氧樹(shù)脂 局部放電特性 熱導(dǎo)率

機(jī)構(gòu): [1]西安理工大學(xué)水利水電學(xué)院,西安710048; [2]西安理工大學(xué)西北旱區(qū)生態(tài)水利工程國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育基地,西安710048; [3]中國(guó)電建集團(tuán)成都勘測(cè)設(shè)計(jì)研究院有限公司,成都610072

摘要: 為研究納米二氧化硅摻雜環(huán)氧樹(shù)脂的局部放電起始電壓及導(dǎo)熱性,制備了不同納米粒子含量的納米二氧化硅/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料試樣,測(cè)試其局部放電起始電壓和熱導(dǎo)率,。結(jié)果表明:在納米粒子含量為5%時(shí),,納米二氧化硅/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的局部放電起始電壓達(dá)到最大值,較純環(huán)氧樹(shù)脂提高了22.5%;復(fù)合材料熱導(dǎo)率達(dá)到最大值,較純環(huán)氧樹(shù)脂提高了157%。通過(guò)對(duì)試樣的微觀結(jié)構(gòu)分析可知,,摻雜納米粒子可以抑制復(fù)合材料內(nèi)部缺陷的產(chǎn)生,。

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